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SI5504DC-T1-E3中文资料

SI5504DC-T1-E3图片

SI5504DC-T1-E3外观图

  • 大小:88.6KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, DUAL, NP, 8-1206; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Transistor Case Style:1206; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:2.1A; Package / Case:1206-8 ChipFET; Power Dissipation Pd:2.1W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A,2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:85 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:7.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI5504DC-T1-E3TR

SI5504DC-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-21 19:19:08
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